1納米相當(dāng)于一根頭發(fā)絲直徑的五萬(wàn)分之一，1埃米則是將這五萬(wàn)分之一的頭發(fā)絲再細(xì)分成十份。目前基于Intel 18A（18埃米，即1.8納米）制程工藝的英特爾AI PC平臺(tái)（客戶端系統(tǒng)級(jí)芯片，代號(hào)為Panther Lake）已在晶圓廠投入量產(chǎn)，小小一片PC芯片上已集成上百億個(gè)晶體管。

11月19日，英特爾副總裁兼中國(guó)區(qū)軟件工程和客戶端產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理高嵩在英特爾技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)生態(tài)大會(huì)上表示，Intel 18A制程將成為英特爾未來(lái)三代PC和數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品基石。英特爾工程師正在研發(fā)Intel 14A等更先進(jìn)的制程技術(shù)，PC產(chǎn)業(yè)的埃米時(shí)代已經(jīng)到來(lái)。

AI帶來(lái)的邊緣計(jì)算日益增長(zhǎng)

人工智能正以前所未有的速度演進(jìn)，開(kāi)源與閉源模型之間的能力差距正在迅速收窄。高嵩表示，在這場(chǎng)技術(shù)浪潮中，中國(guó)的開(kāi)放權(quán)重模型在數(shù)量和質(zhì)量上都取得了令人矚目的成就，優(yōu)秀模型層出不窮，中國(guó)模型實(shí)現(xiàn)了從奮力追趕到屹立潮頭的飛躍，在全球技術(shù)生態(tài)中確立了不可忽視的引領(lǐng)地位。AI模型生態(tài)的創(chuàng)新和模型能力的增長(zhǎng)，為端側(cè)AI開(kāi)啟廣闊空間，新范式已經(jīng)到來(lái)。

“事實(shí)上，人們第一次真正體驗(yàn)到人工智能帶來(lái)的商業(yè)影響，往往是在邊緣計(jì)算領(lǐng)域。”高嵩表示，從AI PC到手機(jī)、網(wǎng)頁(yè)瀏覽器，再到日益增長(zhǎng)的邊緣領(lǐng)域，AI帶來(lái)的機(jī)遇無(wú)處不在。生成式AI在邊緣大規(guī)模部署，工業(yè)場(chǎng)景中的振動(dòng)、溫度、濕度、壓力、文字、語(yǔ)音、視頻等豐富的多模態(tài)數(shù)據(jù)亟待處理，AI與控制高度融合，行業(yè)智能體助手涌現(xiàn)。

AI PC概念提出至今不到兩年，AI PC的發(fā)展正從過(guò)去在傳統(tǒng)應(yīng)用中加載AI插件實(shí)現(xiàn)能力升級(jí)的“AI增強(qiáng)型PC”向“AI原生PC”演進(jìn)。高嵩將AI PC的綜合能力歸結(jié)為感知、認(rèn)知、執(zhí)行、記憶與學(xué)習(xí)五大核心要素，這五大能力的協(xié)同進(jìn)化，將帶來(lái)智能體應(yīng)用新時(shí)代。

高嵩認(rèn)為，未來(lái)“AI原生PC”的軟件、硬件與應(yīng)用都將深度融合AI算法與數(shù)據(jù)，讓智能變得隨心所用。這一轉(zhuǎn)變的核心是讓PC從冰冷的工具進(jìn)化為擁有多模態(tài)感知能力的伙伴。未來(lái)的交互將不再局限于鍵盤(pán)、鼠標(biāo)，而是基于語(yǔ)言、屏幕與攝像頭的自然互動(dòng)，具備更深度的感知和理解能力。

今年底將累計(jì)出貨約1億臺(tái)AI PC

今年進(jìn)博會(huì)期間，英特爾副總裁薩拉·坎普表示，數(shù)字化浪潮從未停歇，從最初的辦公自動(dòng)化到互聯(lián)網(wǎng)普及，再到移動(dòng)互聯(lián)與云計(jì)算，計(jì)算機(jī)不僅是生產(chǎn)力工具，更是連接世界、創(chuàng)造價(jià)值的窗口。英特爾預(yù)計(jì)到今年底將累計(jì)出貨約1億臺(tái)AI PC。

10月份，英特爾發(fā)布代號(hào)為Panther Lake的下一代AI PC平臺(tái)，該平臺(tái)是首款基于Intel 18A制程工藝的客戶端SoC（系統(tǒng)級(jí)芯片），在相同功耗下多核性能提升50%，圖形性能比上一代提升50%以上，整體AI算力達(dá)180 TOPS，已在英特爾晶圓廠投入量產(chǎn)。采用的Intel 18A制程工藝實(shí)現(xiàn)相同功耗下性能提升超過(guò)15%，相同性能下功耗降低25%以上，晶體管密度提升30%，在更小面積上集成更多晶體管。

英特爾副總裁兼中國(guó)區(qū)軟件工程和客戶端產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理高嵩。

埃米時(shí)代的兩大核心技術(shù)是RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)和PowerVia背面供電技術(shù)。半導(dǎo)體器件的功能通過(guò)晶體管的開(kāi)關(guān)控制來(lái)實(shí)現(xiàn)，晶體管越小，電流控制就越困難。面對(duì)微觀世界的挑戰(zhàn)，RibbonFET技術(shù)將晶體管中的電流通道制成納米級(jí)的“薄片”，然后用“柵極”從四面包裹。通過(guò)給柵極施加電壓來(lái)控制電流開(kāi)關(guān)，開(kāi)關(guān)越快，晶體管工作得就越快。高嵩表示，這就像從單方向按壓水管變?yōu)橛檬秩轿晃兆∷軄?lái)控制水流，半導(dǎo)體晶體管開(kāi)關(guān)控制變得更高效快捷，同時(shí)減少漏電。

在千百萬(wàn)倍放大的顯微鏡下，芯片內(nèi)部就像一塊“千層餅”。晶體管層之上還有很多電路層, 包括供電電路和信號(hào)電路。隨著晶體管密度提高，芯片內(nèi)部的電路層越來(lái)越擁擠，為布線和供電帶來(lái)挑戰(zhàn)。PowerVia背面供電技術(shù)將供電電路搬到晶體管層的背面，專門(mén)負(fù)責(zé)供電，而正面只部署信號(hào)電路。高嵩表示，這既精簡(jiǎn)了電路設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)，減少了對(duì)信號(hào)的干擾，提供了更大布線空間，又降低電壓損耗，提高整體性能。