本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

三星計(jì)劃將其位于平澤和華城的部分NAND閃存生產(chǎn)線轉(zhuǎn)為DRAM制造。

三星正準(zhǔn)備對其存儲芯片生產(chǎn)戰(zhàn)略進(jìn)行重大調(diào)整。由于全球 AI 基礎(chǔ)設(shè)施的迅速發(fā)展，DRAM 的需求持續(xù)激增。韓國業(yè)界消息人士透露，三星計(jì)劃將其位于平澤和華城的部分 NAND 閃存生產(chǎn)線轉(zhuǎn)為 DRAM 制造；即將投產(chǎn)的平澤 Fab 4 工廠也將作為專用 DRAM 生產(chǎn)線，采用三星最新的 1c 制程工藝。

1c DRAM是三星電子計(jì)劃在今年下半年量產(chǎn)的產(chǎn)品，且計(jì)劃將搭載在HBM4上，在下一代存儲器業(yè)務(wù)中具有非常重要的意義。

消息稱，三星對 NAND 市場已經(jīng)變得更加謹(jǐn)慎，而標(biāo)準(zhǔn) DRAM 芯片的市場需求則出現(xiàn)了大幅躍升。當(dāng)前，DRAM 價格正在迅速上漲，一些服務(wù)器客戶愿意為 96GB 和 128GB DDR5 內(nèi)存模塊支付高達(dá) 70% 的溢價，但依然難以保證供應(yīng)。大型科技公司預(yù)計(jì)內(nèi)存短缺將持續(xù)數(shù)年，并已開始為 2027 年的 DRAM 配額展開協(xié)商。

目前，三星在平澤 Fab 1、Fab 3 及華城園區(qū)均生產(chǎn) DRAM 和 NAND。未來，F(xiàn)ab 1 和華城的混合生產(chǎn)線將進(jìn)一步向 DRAM 轉(zhuǎn)型，相關(guān) NAND 生產(chǎn)設(shè)備將被拆除。Fab 4 工廠正在收尾建設(shè)，明年將作為專用 1c DRAM 線投產(chǎn)，并有可能將 Fab 4 內(nèi)另一原計(jì)劃用于代工生產(chǎn)的區(qū)域，也轉(zhuǎn)為 DRAM 產(chǎn)品線。一旦調(diào)整完成，明年上半年，三星來自華城 Fab 1 和平澤 Fab 4 的 DRAM 產(chǎn)量將顯著提升。與此同時，韓國地區(qū) NAND 產(chǎn)能的減少預(yù)計(jì)將通過三星位于中國西安的工廠來補(bǔ)足。

最初，三星為了提高芯片的產(chǎn)量和成本效率，縮小了芯片尺寸，但這一做法導(dǎo)致了生產(chǎn)穩(wěn)定性下降，良率未能達(dá)到預(yù)期。為此，三星在2024年底決定對1c DRAM的設(shè)計(jì)進(jìn)行部分修改，主要是在保持核心電路最小線寬的同時，放寬周邊電路的線寬標(biāo)準(zhǔn)，以期快速提升良率。此外，三星還調(diào)整了芯片尺寸，從更小的尺寸轉(zhuǎn)向更大的尺寸，以提高良率并確保HBM4內(nèi)存的穩(wěn)定量產(chǎn)。

此外，三星電子在與英偉達(dá)的合作上也取得了重大進(jìn)展，敲定了HBM4供應(yīng)協(xié)議，計(jì)劃從今年第四季度開始交付首批產(chǎn)品。隨著HBM4需求的激增，三星正在全力投入1c DRAM的產(chǎn)能建設(shè)，以滿足市場的需求。尤其是在服務(wù)器、PC及移動設(shè)備等領(lǐng)域，DRAM的需求正在快速上升，其中服務(wù)器DRAM因AI數(shù)據(jù)中心投資的擴(kuò)張而需求暴增。數(shù)據(jù)中心運(yùn)營商正在競相投入基礎(chǔ)設(shè)施，以支持AI服務(wù)，這直接推動了服務(wù)器DRAM價格的急劇攀升。

盡管PC和移動市場的增長速度有所放緩，但隨著端側(cè)AI的興起，這些領(lǐng)域也開始悄然復(fù)蘇。要在終端設(shè)備上有效運(yùn)行AI計(jì)算，必須依賴大容量內(nèi)存，這意味著DRAM的需求將大幅增加。因此，PC和移動設(shè)備市場有望成為支撐DRAM需求的重要支柱，預(yù)計(jì)將引發(fā)供應(yīng)短缺。高性能內(nèi)存的強(qiáng)勁需求，正是三星擴(kuò)大1c DRAM生產(chǎn)占比的根本動因。

1c DRAM作為三星獨(dú)有的差異化武器，進(jìn)一步加速了這一進(jìn)程。在競爭對手依然使用1b DRAM時，三星已決定采用1c DRAM制造HBM，以期通過領(lǐng)先一代的產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)市場逆轉(zhuǎn)。三星正在通過大規(guī)模擴(kuò)充產(chǎn)能，力圖以1c DRAM重塑市場格局。行業(yè)人士指出，三星電子憑借其遠(yuǎn)超競爭對手的生產(chǎn)能力，極有可能在1c DRAM領(lǐng)域重現(xiàn)市場主導(dǎo)地位。

據(jù)悉，三星已加速押注DRAM 領(lǐng)域，從 ASML購入 5 臺全新 High-NA EUV 光刻機(jī)，其中 2 臺將部署在三星半導(dǎo)體代工事業(yè)部，其余設(shè)備則專供存儲事業(yè)部。一位半導(dǎo)體業(yè)界人士表示：“過去三星的代工和存儲業(yè)務(wù)在韓國平澤園區(qū)共用 EUV 工藝，但隨著最新變化，新增的五臺光刻機(jī)將專供存儲業(yè)務(wù)”。值得注意的是，今年3月，三星在其韓國華城園區(qū)引入了首臺ASML制造的High-NA EUV光刻機(jī)，型號為“TWINSCAN EXE:5000”，成為繼英特爾和臺積電（TSMC）之后，第三家購入High-NA EUV光刻機(jī)的半導(dǎo)體制造商。三星已決定在未來的DRAM生產(chǎn)中采用High-NA EUV技術(shù)，競爭對手SK海力士也有同樣的想法。

不過，據(jù)The Bell報(bào)道，三星和SK海力士已經(jīng)決定推遲在DRAM生產(chǎn)中引入High-NA EUV技術(shù)的時間。原因是工具設(shè)備的成本過高，另外DRAM架構(gòu)即將發(fā)生變化，從而讓存儲器制造商在High-NA EUV技術(shù)上采取更為謹(jǐn)慎的態(tài)度。

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